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IGBT需求大政策扶持加快产业化

更新时间:2022-11-24

本文摘要:全国人大代表、湖南省经济和信息化委员会主任杜超英在拒绝接受记者采访时说,他向大会明确提出了减缓IGBT(绝缘栅双极晶体管)产业发展的建议,建议国家高度重视IGBT产业发展。 IGBT应用于市场需求极大 我国IGBT消费市场目前的规模大约80亿元,到2020年有可能超过300亿元的规模。

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全国人大代表、湖南省经济和信息化委员会主任杜超英在拒绝接受记者采访时说,他向大会明确提出了减缓IGBT(绝缘栅双极晶体管)产业发展的建议,建议国家高度重视IGBT产业发展。  IGBT应用于市场需求极大  我国IGBT消费市场目前的规模大约80亿元,到2020年有可能超过300亿元的规模。  杜超英向记者讲解说道,IGBT是一种填充全控型电压驱动式功率半导体器件,为世界普遍认为的电力电子第三次技术革命的代表性产品,具备高频率、低电压、大电流、更容易电源等优良性能,被业界被誉为功率变流装置的CPU。  近年来,随着国民经济的较慢发展,功率半导体技术已被广泛应用。

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目前,中国是世界上仅次于的功率半导体器件消费国,但作为产业链高端的功率芯片则全部倚赖进口,这不致影响国民经济的安全性、可持续发展。建议国家高度重视IGBT产业发展,反对国内优势企业积极开展以IGBT为代表的功率芯片及其器件的研究研发与产业化。  杜超英对记者说道,我国IGBT技术获得了一定突破,应用于市场需求极大。

IGBT芯片技术方面,中国南车竣工全球第二条、国内首条8英寸IGBT芯片专业生产线,去年顺利构建首批8英寸1700VIGBT芯片下线,8英寸3300V芯片已完成批量生产与测试,6500V芯片已研发出有合格样品。IGBT模块技术方面,PCBIGBT模块所用芯片大多由国外公司获取,国产IGBT芯片年产值将近1亿元。但我国毕竟全球仅次于的功率半导体消费市场,市场潜力极大。

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其中,我国IGBT消费市场目前大约80亿元的规模,到2020年有可能超过300亿元的规模。  在谢超英显然,我国IGBT产业发展制约因素较多,亟需突破。一是没构成创意体系,二是缺少原始的生产线,三是设施产业脆弱,关键材料的国产化已沦为我国IGBT产业较慢发展的众多制约因素。

  实施扶植政策减缓产业化  建议国家实施扶植政策,相结合优势企业,前进IGBT产业化并构成规模优势。  杜超英说道,IGBT作为电能转换的关键部件,是现代科学、工业和国防的最重要核心技术。为尽早转变我国功率半导体芯片基本倚赖进口的局面,他建议国家实施扶植政策,相结合国内优势企业,通过样板和引领,大力前进我国IGBT产业化并构成规模优势。

  一是成立国家根本性科技专项反对IGBT技术研发与产业化。建议设置功率半导体根本性专项,反对IGBT等功率器件技术升级与产业扩展。

探寻IGBT研发与产业化的后补助金政策,通过事前申报、事后确认的方式给与IGBT科技创新主体经费补助金,前进IGBT技术的持续创意,加快科技成果产业化。


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